三星电子拟推新1GB移动DRAM 速度可达12.8GB/s
韩国三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布,这家先进内存技术领域的全球龙头企业正在开发装有宽I/O接口的1GB移动DRAM(dynamic random access memory),将使用50纳米级工艺技术。新的宽I/O移动DRAM将被用于移动应用设备,诸如智能手机和平板电脑。三星电子高级副总裁、存储产品规划与应用工程师Byungse So表示,“继2010年开发出4GB的LPDDR2 DRAM(低功耗DDR2 DRAM)后,装有I/O接口的新款移动DRAM解决方案将为高性能移动产品的进步做出重要贡献。”他表示,“我们将继续积极拓展高性能移动存储产品阵容,以进一步推进移动产业的成长。”全新的1GB宽I/O移动DRAM数据传输速度可达12.8GB/秒,相当于移动DD